Dialog半导體(tǐ)已将其导電(diàn)桥接電(diàn)阻RAM非易失性存储器(NVM)技(jì )术授权给Globalfoundries，但生产(chǎn)计划要等到2022年。

Globalfoundries公(gōng)司计划在2022年将CBRAM作(zuò)為(wèi)其22FDX绝缘體(tǐ)上硅22nm制造工(gōng)艺的嵌入式NVM选项，并计划将该方案扩展到其他(tā)制程。

Facebook人工(gōng)智能(néng)科(kē)學(xué)家Yann LeCun表示， ReRAM技(jì )术是嵌入式人工(gōng)智能(néng)的一项关键技(jì )术。CBRAM可(kě)在恶劣的环境下工(gōng)作(zuò)，可(kě)用(yòng)在物(wù)联网、5G连接、人工(gōng)智能(néng)、消费者、医(yī)疗以及某些工(gōng)业和汽車(chē)应用(yòng)上。

内存只需要在逻辑过程中(zhōng)添加一个掩码层，但目前还不清楚為(wèi)什么这个技(jì )术需要如此長(cháng)的时间才能(néng)投入生产(chǎn)。Dialog声称，由于它是一种“后端”技(jì )术，因此能(néng)够相对容易地集成到技(jì )术节点中(zhōng)。

CBRAM由Adesto技(jì )术公(gōng)司开发，其原理(lǐ)是基于铜离子通过非晶二氧化硅的运动，以形成交叉点的丝状桥接开关。此技(jì )术于2020年9月通过对Adesto的收購(gòu)转给了Dialog。

Adesto成立于2006年，他(tā)们计划开发一种基于Axon Technologies Corp.许可(kě)的非易失性存储器。Axon Technologies是亚利桑那州立大學(xué)(Arizona State University)的附属公(gōng)司。该公(gōng)司是众多(duō)竞争对手中(zhōng)将ReRAM推向市场的公(gōng)司之一，尽管基于该技(jì )术的产(chǎn)品销售有(yǒu)些困难，也使用(yòng)了其他(tā)更传统的NVM技(jì )术。Dialog半导體(tǐ)负责企业发展副总裁Mark Tyndall表示:“该协议不仅為(wèi)行业带来了优良的技(jì )术，还為(wèi)Dialog下一代系统芯片采用(yòng)前沿的CBRAM技(jì )术创造了机会。”

通过IP定制，客户可(kě)以通过修改CBRAM单元来优化SoC设计，甚至為(wèi)新(xīn)的应用(yòng)程序调整单元。

来源：中(zhōng)電(diàn)网